DMG7N65SCT
Framleiðandi Vöru númer:

DMG7N65SCT

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMG7N65SCT-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)

Birgðir:

12883977
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

DMG7N65SCT Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
-
Röð
Automotive, AEC-Q101
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
886 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB (Type TH)
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
DMG7N65

Aukainformation

Venjulegur pakki
50

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IXFP7N80PM
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFP7N80PM-DG
Einingaverð
4.60
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXFP7N80P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
299
HLUTARNÁMR
IXFP7N80P-DG
Einingaverð
2.31
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
diodes

DMN7022LFGQ-13

MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

diodes

DMN4008LFG-13

MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333

diodes

DMN3071LFR4-7R

MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN

diodes

DMN2500UFB4-7

MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN