Framleiðandi Vöru númer:
DMG7N65SCT
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMG7N65SCT-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Birgðir:
12883977
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMG7N65SCT Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
-
Röð
Automotive, AEC-Q101
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
886 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB (Type TH)
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
DMG7N65
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFP7N80PM
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFP7N80PM-DG
Einingaverð
4.60
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXFP7N80P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
299
HLUTARNÁMR
IXFP7N80P-DG
Einingaverð
2.31
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMN7022LFGQ-13
MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
DMN4008LFG-13
MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
DMN3071LFR4-7R
MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
