Framleiðandi Vöru númer:
DMG4N65CTI
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMG4N65CTI-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB
Birgðir:
12882720
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMG4N65CTI Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
8.35W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
ITO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Grunnvörunúmer
DMG4
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
DMG4N65CTIDI
DMG4N65CTIDDI
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TSM4ND65CI
FRAMLEIÐANDI
Taiwan Semiconductor Corporation
Fjöldi í boði
1845
HLUTARNÁMR
TSM4ND65CI-DG
Einingaverð
1.04
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
BS170FTA
MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
DMP21D0UFB-7
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
DMNH4005SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8
