BS107PSTZ

Framleiðandi Vöru númer:

BS107PSTZ

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

BS107PSTZ-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Birgðir:

1991 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12897444

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

BS107PSTZ Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Diodes Incorporated

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

200 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

120mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.6V, 5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

30Ohm @ 100mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

85 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

500mW (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Einkunn

Automotive

Hæfni

AEC-Q101

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

E-Line (TO-92 compatible)

Pakki / hulstur

E-Line-3

Grunnvörunúmer

BS107

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

2,000

Önnur nöfn

BS107PSTZ-DG

BS107PSTZDICT

BS107PSTZDITR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

taiwan-semiconductor

TSM040N03CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252

taiwan-semiconductor

TSM60N600CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO252

taiwan-semiconductor

TSM170N06PQ56 RLG

MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM80N950CI C0G

MOSFET N-CH 800V 6A ITO220AB